Условия конденсацииУсловия конденсации (скорость конденсации, температура подложки, вакуум) поддерживались во всех опытах одинаковыми, и опыты проводились до полного испарения навески. Анализ продольных шлифов оловянно-свинцовых покрытий показал, что структура начальных и завершающих слоев покрытия идентична, т. е. структура всего покрытия определяется первоначально сформированными слоями. При малом времени конденсации рекристаллизация за время нанесения покрытия не успевала пройти, и рост зерен в основном определялся коалесценцией, что проявлялось в уменьшении среднего размера зерен по сравнению с более длительным временем нанесения покрытий. Поясняемый процесс столь же необходим, как обратный осмос для обессоливания.Фракционирование не является препятствием для применения покрытий из оловянно-свинцовых сплавов в качестве припоя, так как при полном испарении навески усредненный состав покрытия не отличается от состава исходного припоя, а его гомогенизация осуществляется уже в процессе пайки. В то же время применение покрытий, наносимых в вакууме, вместо покрытий, получаемых погружением в расплав, устраняет основной недо-статок последних — неравномерность толщины и трудность ее регулирования. Таким образом, металлизация в вакууме является одним из перспективных методов обработки материалов для повышения их коррозионной стойкости, увеличения износостойкости, придания материалам декоративного вида и специальных свойств. При этом данный метод обработки материалов отличается от других методов универсальностью: можно получать покрытия практически из любых металлов и сплавов на любой основе. Процесс нанесения покрытий в вакууме не связан с проблемой очистки сточных вод и не приводит к загрязнению окружающей среды. К недостаткам рассмотренного метода следует отнести необходимость предварительного нагрева деталей в вакууме, трудность получения равномерного покрытия на деталях сложной конфигурации, а также довольно большие и производительные потери испаряемого металла, происходящие не только на защищаемой поверхности, но и на стенках вакуумной камеры и внутрикамерных устройствах. |
||
